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1N60L-TN3-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

1N60L-TN3-R

1个N沟道 耐压:600V 电流:1.2A

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描述
N沟道,600V,1.2A
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
1N60L-TN3-R
商品编号
C171558
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.504克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)1.2A
导通电阻(RDS(on))11.5Ω@10V
耗散功率(Pd)28W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@10V
输入电容(Ciss)150pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品特性

  • 在4.5V的栅源电压VGS下具有极低的导通电阻RDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 100%测试栅极电阻RG
  • 无铅(最高可承受260℃回流焊)
  • 符合RoHS标准(无卤素)
  • 低热阻
  • 大尺寸源极引脚,焊接更可靠

应用领域

  • 笔记本处理器电源同步MOSFET
  • 网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET

数据手册PDF