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14N50L-TQ2-R
1个N沟道 耐压:500V 电流:14A
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- 描述
- N沟道,500V,14A
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 14N50L-TQ2-R
- 商品编号
- C171565
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.963克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 238pF |
商品概述
UTC 14N50是一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用平面条形结构，运用DMOS技术，以最小化并实现更低的导通电阻和更快的开关速度。它还能在雪崩和换向模式条件下承受高能脉冲。 UTC 14N50非常适合用于基于半桥拓扑的高效开关模式电源、功率因数校正和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 7A时，RDS(ON) < 0.50Ω
- 超低栅极电荷（典型值43nC）
- 低反向传输电容（CRSS典型值为20pF）
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- 高效开关模式电源-功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器
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