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2N65L-TF1-T
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- N沟道,650V,2A
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N65L-TF1-T
- 商品编号
- C171553
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
BLM3400采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 5.8 A
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 59 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 41 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理