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7NM65G-TN3-R
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- N沟道,650V,7A
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 7NM65G-TN3-R
- 商品编号
- C171513
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.504克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 375pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 238pF |
商品概述
UTC 7NM65是一款超结MOSFET结构器件。它采用UTC先进的平面条纹DMOS技术，为客户提供出色的开关性能和极低的导通电阻。 UTC 7NM65广泛应用于基于半桥拓扑的电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正等领域。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 3.5A条件下，RDS(ON) < 0.9Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- 基于半桥拓扑的电子灯镇流器-高效开关模式电源-有源功率因数校正