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UF640L-TN3-R
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- N沟道,200V,18A
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UF640L-TN3-R
- 商品编号
- C171452
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.504克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 805pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
这类n沟道功率MOSFET场效应晶体管具有低传导功率损耗、高输入阻抗、高开关速度和线性传输特性，因此可用于各种功率转换应用。 UF640适用于谐振和PWM转换器拓扑。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 10A条件下，RDS(ON) < 0.18 Ω
- 超低栅极电荷（典型值43nC）
- 低反向传输电容（CRSS典型值为100 pF）
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力，具有高耐用性