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13N50L-TF1-T
1个N沟道 耐压:500V 电流:13A
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- 描述
- N沟道,500V,13A
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 13N50L-TF1-T
- 商品编号
- C171437
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 202pF |
商品概述
13N50是一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用平面条形结构，运用DMOS技术，以降低导通电阻并提高开关速度。它还能在雪崩和换向模式条件下承受高能脉冲。 13N50非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 6.5A条件下，RDS(ON) < 0.48 Ω
- 经过雪崩能量测试