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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PESDHC2FD4V5BH

双向ESD 4.5V截止 峰值脉冲电流:36A@8/20us

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描述
PESDHC2FD4V5BH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。它们具有大横截面积的结点,可传导高瞬态电流,并提供理想的板级保护电气特性,例如快速响应时间和低工作电压。
品牌名称
Prisemi(芯导)
商品型号
PESDHC2FD4V5BH
商品编号
C168625
商品封装
DFN1006-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)4.5V
钳位电压18V
峰值脉冲电流(Ipp)36A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)500W@8/20us
属性参数值
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容80pF

商品概述

PESDHC2FD4V5BH可保护敏感半导体元件,避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现故障。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流,具备适用于电路板级保护的理想电气特性,如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中,它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

商品特性

  • 每线500W峰值脉冲功率 (tP= 8 / 20us)
  • DFN1006-2L封装
  • 可替代MLV(0402)
  • 双向配置
  • 典型响应时间 < 1 ns
  • 低钳位电压
  • 符合RoHS标准
  • 数据线瞬态保护,符合IEC61000-4-2(ESD) ±30KV(空气)、±30KV(接触)
  • IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
  • IEC61000-4-5 (浪涌) 36A (8/20us)

应用领域

  • 手机
  • 便携式设备
  • 数码相机
  • 电源

数据手册PDF