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PPMT20V3
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- P沟道 -20V -2.8A
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PPMT20V3
- 商品编号
- C168635
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V,2.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
增强型MOS管具有极高的单元密度和低导通电阻。
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