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PNM723T30V01实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PNM723T30V01

1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A

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描述
PNM723T30V01专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
品牌名称
Prisemi(芯导)
商品型号
PNM723T30V01
商品编号
C169330
商品封装
SOT-723​
包装方式
编带
商品毛重
0.061克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100mA
导通电阻(RDS(on))9Ω@2.5V,10mA
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)500pC@4.5V
输入电容(Ciss)40pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)10pF

数据手册PDF

优惠活动

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(10000个/圆盘,最小起订量 20 个)
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