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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
这些SuperMESHTM功率MOSFET是意法半导体(STMicroelectronics)SuperMESHTM技术改进的成果,并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,使其适用于要求最为严苛的应用。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- STF6N65K3
- STP60NF06FP
- STPS10150CFP
- SPA04N60C3
- SPA07N60C3
- SPA11N60C3
- 74LVC257AD,118
- MVK 16V47 M 6.3*5.2
- MVK 25V47 6.3*6
- MVK 50V47 8*10
- MVK 50V4.7 5*5.2
- MVK 50V100 M 10*10
- MVK 63V47 M 8*10
- BXA 50V47 M 8*6
- BLA10V100M6.3*6 6.3TP
- BXJ 10V1000 10*10
- BXJ50V220M10*10 10TP
- BXJ 16V/220M 6.3*8 6.3TP
- BXJ 35V100 8*10
- KMG 25V330 8*11.5
- NXA 35V330 10*16