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STF8NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 描述
- N沟道,600V,7A,700mΩ@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF8NM60ND
- 商品编号
- C165936
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品概述
FDmesh™ II系列属于MDmesh™技术的第二代产品。这款创新型功率MOSFET将新型垂直结构与该公司的条形布局相结合，将低导通电阻和快速开关的优势与本征快速恢复体二极管相结合。强烈推荐用于ZVS移相转换器的桥接拓扑。
商品特性
- 仅受允许的最高温度限制
- 在快速恢复二极管器件中拥有全球最佳的RDS(on)面积
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用