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STP60NF06FP
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此功率MOSFET系列采用独特的STripFET工艺，旨在最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合作为电信和计算机应用的先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP60NF06FP
- 商品编号
- C165617
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列产品，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 面向应用的特性描述
应用领域
- 开关应用