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STB12NM50ND
1个N沟道 耐压:500V 电流:11A
- 描述
- N沟道,500V,11A,380mΩ@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB12NM50ND
- 商品编号
- C165927
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
FDmesh™ 技术将 MDmesh™ 特性与本征快速恢复体二极管相结合。由此产生的产品降低了导通电阻并实现了快速开关换相，使其特别适用于需要低trr的桥接拓扑。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用