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STD5NM60-1
1个N沟道 耐压:600V 电流:5A
- 描述
- N沟道,600V,5A,1Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD5NM60-1
- 商品编号
- C165932
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.814克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高 dv/dt 和优异的雪崩特性。采用专有条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞争产品。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 高 dv/dt 和雪崩能力
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用