TPS28226D
TPS28226D
- 描述
- TPS28226 具有 8V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPS28226D
- 商品编号
- C1549584
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 6.8V~8V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
TPS28226是一款用于N沟道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器,具备自适应死区时间控制功能。该驱动器针对各种大电流单相和多相直流-直流转换器应用进行了优化。TPS28226可实现高效率、小尺寸和低电磁干扰(EMI)辐射。 通过高达8.8V的栅极驱动电压、14ns的自适应死区时间控制、14ns的传播延迟以及2A源电流和4A灌电流的大电流驱动能力,可实现高效率。下栅极驱动器0.4Ω的阻抗可将功率MOSFET的栅极电压保持在阈值以下,确保在高dV/dt相节点转换时无直通电流。内部二极管对自举电容充电,可使N沟道MOSFET用于半桥配置。
商品特性
- 以14ns自适应死区时间驱动两个N沟道MOSFET
- 宽栅极驱动电压:4.5V至8.8V,在7V至8V时效率最佳
- 宽电源系统输入电压:3V至27V
- 宽输入PWM信号:幅度为2.0V至13.2V
- 能够每相驱动电流≥40A的MOSFET
- 高频工作:14ns传播延迟和10ns上升/下降时间,允许F_SW达2MHz
- 能够传输<30ns的输入PWM脉冲
- 低端驱动器灌电流导通电阻(0.4Ω)可防止与dV/dT相关的直通电流
- 用于功率级关断的三态PWM输入
- 节省空间的使能(输入)和电源正常(输出)信号共用同一引脚
- 热关断
- 欠压锁定(UVLO)保护
- 内部自举二极管
- 经济的SOIC-8和散热增强型3mm x 3mm DFN-8封装
- 可高性能替代流行的三态输入驱动器
应用领域
- 采用模拟或数字控制的多相直流-直流转换器
- 台式机和服务器电压调节模块(VRM)及增强型电压调节模块(EVRD)
- 便携式设备和笔记本电脑稳压器
- 隔离电源的同步整流
交货周期
订货83-85个工作日购买数量
(75个/管,最小起订量 1000 个)个
起订量:1000 个75个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
