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TPS28226D实物图
  • TPS28226D商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPS28226D

TPS28226D

描述
TPS28226 具有 8V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TPS28226D
商品编号
C1549584
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)4A
属性参数值
拉电流(IOH)2A
工作电压6.8V~8V
上升时间(tr)10ns
下降时间(tf)5ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

TPS28226是一款用于N沟道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器,具备自适应死区时间控制功能。该驱动器针对各种大电流单相和多相直流-直流转换器应用进行了优化。TPS28226可实现高效率、小尺寸和低电磁干扰(EMI)辐射。 通过高达8.8V的栅极驱动电压、14ns的自适应死区时间控制、14ns的传播延迟以及2A源电流和4A灌电流的大电流驱动能力,可实现高效率。下栅极驱动器0.4Ω的阻抗可将功率MOSFET的栅极电压保持在阈值以下,确保在高dV/dt相节点转换时无直通电流。内部二极管对自举电容充电,可使N沟道MOSFET用于半桥配置。

商品特性

  • 以14ns自适应死区时间驱动两个N沟道MOSFET
  • 宽栅极驱动电压:4.5V至8.8V,在7V至8V时效率最佳
  • 宽电源系统输入电压:3V至27V
  • 宽输入PWM信号:幅度为2.0V至13.2V
  • 能够每相驱动电流≥40A的MOSFET
  • 高频工作:14ns传播延迟和10ns上升/下降时间,允许F_SW达2MHz
  • 能够传输<30ns的输入PWM脉冲
  • 低端驱动器灌电流导通电阻(0.4Ω)可防止与dV/dT相关的直通电流
  • 用于功率级关断的三态PWM输入
  • 节省空间的使能(输入)和电源正常(输出)信号共用同一引脚
  • 热关断
  • 欠压锁定(UVLO)保护
  • 内部自举二极管
  • 经济的SOIC-8和散热增强型3mm x 3mm DFN-8封装
  • 可高性能替代流行的三态输入驱动器

应用领域

  • 采用模拟或数字控制的多相直流-直流转换器
  • 台式机和服务器电压调节模块(VRM)及增强型电压调节模块(EVRD)
  • 便携式设备和笔记本电脑稳压器
  • 隔离电源的同步整流

交货周期

订货83-85个工作日

购买数量

(75个/管,最小起订量 1000 个)
起订量:1000 个75个/管

总价金额:

0.00

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