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TLP351(F)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TLP351(F)

DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V

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描述
由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成,采用8引脚DIP封装,适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路,尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TLP351(F)
商品编号
C150126
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.917克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑输出光耦
输入类型DC
工作电压10V~30V
隔离电压(Vrms)3.75kV
CMTI(kV/us)10kV/us
传输速率-
通道数1
工作温度-40℃~+100℃
属性参数值
传播延迟 tpLH700ns
传播延迟 tpHL700ns
输入阈值电流(FH)5mA
输出电流200mA
输出电压35V
正向压降(Vf)1.55V
直流反向耐压(Vr)5V
正向电流(If)10mA

商品概述

TLP351由GaAℓAs发光二极管和集成光电探测器组成。该单元采用8引脚DIP封装。TLP351适用于IGBT或功率MOS FET的栅极驱动电路。特别是TLP351能够“直接”驱动低功率IGBT。峰值输出电流:±0.6 A(最大值)

商品特性

  • 保证在 -40°C 至 100°C 温度范围内性能稳定
  • 电源电流:2 mA(最大值)
  • 电源电压:10 至 30 V
  • 阈值输入电流:IF = 5 mA(最大值)
  • 开关时间 (tpLH/tpHL):700 ns(最大值)
  • 共模瞬态抗扰度:±10 kV/μs
  • 隔离电压:3750 Vrms
  • UL 认证:UL1577,文件编号 E67349
  • cUL 认证:CSA 组件验收服务编号 5A,文件编号 E67349
  • Option(D4) VDE 认证:DIN EN60747 - 5 - 5,最大工作绝缘电压:890 VPK,最高允许过电压:4000 VPK

数据手册PDF