MB85RS2MTYPNF-GS-AWERE2

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品牌名称: RAMXEED/FUJITSU(富士通)
商品型号: MB85RS2MTYPNF-GS-AWERE2
商品编号: C1518694
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

MB85RS2MTY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为262,144字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品特别针对高温环境，如汽车应用。MB85RS2MTY采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RS2MTY无需备用电池即可保留数据。MB85RS2MTY使用的存储单元可进行10¹³次读写操作，这比闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提高。由于MB85RS2MTY在写入过程中无需任何等待时间，其写入周期时间比闪存或E²PROM短得多。

商品特性

位配置：262,144字×8位
特殊扇区区域：256字×8位。在该区域，基于JEDEC MSL - 3标准条件进行三次回流焊后的数据存储得到保证。
唯一ID
序列号：64位
串行外设接口。在该区域，基于JEDEC MSL - 3标准条件进行三次回流焊后的数据存储得到保证。
工作频率：SPI（串行外设接口），最高50 MHz，对应SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
高耐久性：10¹³次/字节
数据保留时间：+85°C时为50.4年；+105°C时为13.7年；+125°C时为4.2年或更久（+125°C下评估超过4.2年）
工作电源电压：1.8 V至3.6 V
低功耗：工作电源电流最大4 mA（50 MHz时）；待机电流最大220 μA；深度掉电电流最大30 μA
工作环境温度范围：-40°C至+125°C
封装：8引脚塑料SOP 150mil；8引脚塑料DFN 5mm×6mm
符合AEC - Q100 1级标准
符合RoHS标准

数据手册PDF

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