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WSD20L120DN
1个P沟道 耐压:20V 电流:120A
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- 描述
- P沟道.-20V.-120A.2.1mΩ.功能与脚位等同AO6411
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD20L120DN
- 商品编号
- C148395
- 商品封装
- DFN-8(6x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
商品概述
WSD20L120DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD20L120DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板（MB）/笔记本电脑（NB）/超便携个人电脑（UMPC）/显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关