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SI7454DP-T1-E3实物图
SI7454DP-T1-E3商品缩略图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI7454DP-T1-E3

1个N沟道 耐压:100V 电流:7.8A

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描述
N沟道,100V,5A,0.034Ω@10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7454DP-T1-E3
商品编号
C145445
商品封装
PowerPAK-SO-8
包装方式
编带
商品毛重
0.131克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)7.8A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@6V,7.2A
耗散功率(Pd)4.8W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
配置半桥
类型N沟道
输出电容(Coss)-

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