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VN2460N8-G
1个N沟道 耐压:600V 电流:200mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VN2460N8-G
- 商品编号
- C145396
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@4.5V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@2.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Superox 成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力以及 MOS 器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
-无二次击穿-低功率驱动要求-易于并联-低输入电容 (Ciss) 和快速开关速度-出色的热稳定性-内置源漏二极管-高输入阻抗和高增益
应用领域
-电机控制-转换器-放大器-开关-电源电路-驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)