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SIS436DN-T1-GE3
停产 1个N沟道 耐压:25V 电流:16A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS436DN-T1-GE3
- 商品编号
- C141630
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 855pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET第三代功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 100%进行非钳位感性开关 (UIS) 测试
应用领域
- 直流-直流 (DC/DC) 转换
- N沟道MOSFET
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