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AO3415
1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO3415
- 商品编号
- C14354
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@1.8V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 905pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1450pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1450pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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