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CSD16403Q5A
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A
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- 描述
- CSD16403Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16403Q5A
- 商品编号
- C14456
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.08nF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2660pF @ 12.5V
功率 - 最大值：3.1W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-VSON（5x6）
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2660pF @ 12.5V
功率 - 最大值：3.1W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-VSON（5x6）
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起订量：1 个3000个/圆盘
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