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MJD45H11T4
PNP 电流:8A 电压:80V
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- 描述
- 低压NPN功率晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MJD45H11T4
- 商品编号
- C138783
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
这些器件采用低压多外延平面技术制造，适用于通用线性和开关应用，采用DPAK TO-252封装。
商品特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 快速开关速度
- 表面贴装TO-252（DPAK）功率封装，带卷装（后缀"T4"）
应用领域
- 功率放大器
- 开关电路