温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MJD127T4
互补硅功率达林顿晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MJD127T4
- 商品编号
- C138775
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 特征频率(fT) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4.5V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.8V |