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AON6407

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:30V 电流:85A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    P沟道,-30V,-85A,4.5mΩ@-10V

  • 品牌名称AOS
  • 商品型号

    AON6407
  • 商品编号

    C13899
  • 商品封装

    PDFN-8(5.8x4.9)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.21克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,20A
功率(Pd)83W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)105nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.505nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)650pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Ta),85A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3505pF @ 15V
功率 - 最大值:7.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
供应商器件封装:8-DFN(5x6)

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