AON6407
1个P沟道 耐压:30V 电流:85A
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描述
P沟道,-30V,-85A,4.5mΩ@-10V
- 品牌名称AOS
商品型号
AON6407商品编号
C13899商品封装
PDFN-8(5.8x4.9)包装方式
编带
商品毛重
0.21克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 85A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,20A | |
功率(Pd) | 83W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 105nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.505nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 650pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Ta),85A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3505pF @ 15V
功率 - 最大值:7.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
供应商器件封装:8-DFN(5x6)
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Ta),85A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3505pF @ 15V
功率 - 最大值:7.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
供应商器件封装:8-DFN(5x6)
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