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AON6407
1个P沟道 耐压:30V 电流:85A
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- 描述
- P沟道,-30V,-85A,4.5mΩ@-10V
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6407
- 商品编号
- C13899
- 商品封装
- PDFN-8(5.8x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.505nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品概述
AON6407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 25121WJ010JT4E
- IRF7493TRPBF
- KM228M050K30RR0VH2FP0
- ENC424J600-I/PT
- STC12C5410AD-35I-SOP28
- LK1608R68K-T
- LK21258R2K-T
- LMBT3906DW1T1G
- FMMT38CTA
- CL21B474KBFNNNE
- LM741CN/NOPB
- LM2940SX-5.0/NOPB
- 0451003.MRL
- CL31A475KPHNNNE
- AD626ARZ-REEL7
- LM2940IMP-5.0/NOPB
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- TPS76201DBVR
- SN65HVD1050DR
- STC89C52RC-40I-PDIP40
- AD5262BRUZ20