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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE40P40K

1个P沟道 耐压:40V 电流:40A

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描述
P沟道,40V,40A.
商品型号
NCE40P40K
商品编号
C130100
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.547克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V,12A
耗散功率(Pd)80W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
输入电容(Ciss)2.96nF
反向传输电容(Crss)310pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)370pF

商品概述

NCE40P40K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合高电流负载应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -40A
  • 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 14 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用优秀封装,散热性能良好

应用领域

  • 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF