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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 174pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 523pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具有出色的制造可重复性。
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on) = 0.016 Ω
- 标准外形，便于自动表面贴装组装
- 低阈值驱动
应用领域
- 移动设备的电池管理
- 手机的电源管理
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