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STP120NF10
1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
- 描述
- N沟道,100V,120A,10Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP120NF10
- 商品编号
- C118286
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 233nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 785pF |
商品概述
这些器件为采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET™工艺实现的N沟道功率MOSFET，专门设计用于最小化导通电阻。因此，它适合用作电信和计算机应用中的先进高效、高频隔离式DC-DC转换器的主开关。它也适用于任何对栅极驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 面向应用的特性表征
- D2PAK
- TO-220
- TO-247
- TO-220FP
应用领域
- 开关应用