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NCE3080K
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- N沟道，30V/80A，5.5毫欧。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE3080K
- 商品编号
- C108901
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.661371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
UTC 7N65K 是一款高压功率 MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 80A
- RDS(ON) < 6.5 m Ω(VGS = 10 V 时)
- RDS(ON) < 10 m Ω(VGS = 5 V 时)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高 EAS,稳定性和一致性良好
- 出色的封装,散热性能佳
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源