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NCE7190A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE7190A

1个N沟道 耐压:71V 电流:90A

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描述
NCE7190A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制(PWM)、负载开关及通用应用。
商品型号
NCE7190A
商品编号
C110158
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.769克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)71V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss)4.9nF
反向传输电容(Crss)290pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)380pF

商品概述

BLM2302采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 71V,ID = 90A
  • R D S (ON) < 5.5 m Ω @ V G S = 10 V(典型值:4.8 m Ω)
  • 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 专为转换器和电源控制设计
  • 具有高 EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF