MX612E

该产品采用H桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作电压范围覆盖2V到9.6V。27°C，VDD = 6.5V条件下最大持续输出电流达到1.5A，最大峰值输出电流达到2.5A。 该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值150°C)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。

• 低待机电流 (小于0.1uA)
• 低导通内阻MOSFET 功率开关管采用MOS工艺设计，功率管1200毫安通道功率管内阻0.35欧姆，200毫安通道功率管内阻0.31欧姆
• 特定条件下VCC可以悬空— 输入信号最低高电平电压大于2.4V
• 较小的输入电流，集成约15K对地下拉电阻，VCC正常连接，3V驱动信号平均200uA输入电流，VCC悬空，3V驱动信号平均350uA输入电流
• 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
• 抗静电等级：3KV (HBM)

• 2 - 6节AA/AAA干电池供电的玩具马达驱动
• 2 - 6节镍 - 氢/镍 - 镉充电电池供电的玩具马达驱动
• 1 - 2节锂电池供电的马达驱动
• 电子锁