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NCE0117K
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- N沟道,Vds=100V,Id=17A
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0117K
- 商品编号
- C108638
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达500mA直流电流的应用。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
应用领域
-小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用