BF998E6327
停产 1个N沟道 耐压:12V 电流:30mA
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BF998E6327
- 商品编号
- C108141
- 商品封装
- SOT-143
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.025pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1pF |
商品特性
- 具备高信号/杂讯品质因数的短通道晶体管
- 适用于最高 1 GHz 的低噪声、增益可控输入级
- 无铅(符合 RoHS 标准)封装
- 符合 AEC Q101 标准
