IPT015N10N5
1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
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- 描述
- N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT015N10N5
- 商品编号
- C108964
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@6V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@280uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 211nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品概述
BLM4435采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -9.1A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 35mΩ
- 栅源电压（VGS） = -10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 20mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理