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IPB320N20N3G

1个N沟道 耐压:200V 电流:34A

描述
N沟道,200V,34A,32mΩ@10V
商品型号
IPB320N20N3G
商品编号
C110546
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.89克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)34A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V,34A
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))4V@90uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)2.35nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+175℃
类型-
输出电容(Coss)180pF

数据手册PDF

交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1000 个)
起订量:1000 个1个/圆盘

总价金额:

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