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HY3210P
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- N沟道MOSFET. VDS=100V, ID=120A,6.8mR,可替换IRF2807,IRF3710,IRF4410
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY3210P
- 商品编号
- C110583
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 237W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.922nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 508pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 902pF |
商品特性
- 100V/120A
- 栅源电压 (VGS) 为 10V 时,导通电阻 (RDS(ON)) 典型值为 6.8mΩ
- 经过 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 无铅环保(符合 RoHS 标准)
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统电源管理