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HY4008P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HY4008P

1个N沟道 耐压:80V 电流:200A

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描述
N沟道80V/200A/2.9毫欧
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HY4008P
商品编号
C110667
商品封装
TO-220FB-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V,100A
耗散功率(Pd)345W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)197nC@10V
输入电容(Ciss)8.154nF
反向传输电容(Crss)650pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.029nF
大功率大电流MOS管,N沟道80V/200A/2.9毫欧

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