STF26NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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描述
N沟道,600V,20A,165mΩ@10V
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STF26NM60N商品编号
C110592商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.6克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 165mΩ@10V,10A | |
功率(Pd) | 35W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 6pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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