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YJD40N04A
1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 沟槽型低压功率MOSFET技术 出色的散热封装
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJD40N04A
- 商品编号
- C919581
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.479克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 917pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS