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YJD120N04A
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- YJD120N04A-F1-0000HF
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJD120N04A
- 商品编号
- C919582
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.645nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 436pF |
商品概述
该器件在双PQFN封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点内部已连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步整流MOSFET（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 17.5 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 16 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5.7 mΩ
- Q2：N沟道
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 34 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 1.4 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 32 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 1.6 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
-计算机领域-通信领域-通用负载点应用-笔记本电脑VCORE电源