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2N7002W
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 采用沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- 2N7002W
- 商品编号
- C919588
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27.5pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.75pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理