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YJB200G06B
1个N沟道 耐压:60V 电流:200A
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- 描述
- YJB200G06B-F2-0000HF
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJB200G06B
- 商品编号
- C919603
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.445克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 260W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.165nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 采用高密度单元设计，实现低 RDS(on)
- 高速开关
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-背光照明