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YJGD20G10A
2个N沟道 耐压:100V 停产
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- 描述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术 用于低导通电阻 RDS(ON)的高密度单元设计
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJGD20G10A
- 商品编号
- C919609
- 商品封装
- DFN5060-8L-DUal
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.051nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 399pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低 RDS(on)
商品特性
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
- 100% ∇VDS 测试
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-同步整流应用