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RSU002P03T106
1个P沟道 耐压:30V 电流:0.2A
- 描述
- 特性：低导通电阻。 4V驱动。 无铅/RoHS合规。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RSU002P03T106
- 商品编号
- C919456
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.0V,0.15A | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
商品特性
- 100% 非钳位感性负载开关测试
- 100% 漏源电压变化率测试
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-背光照明