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YJD45G10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- 低RDS(on)和FOM；极低的开关损耗；优异的稳定性和均匀性；快速开关和软恢复
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJD45G10A
- 商品编号
- C919611
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 399pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
商品特性
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 100% 漏源电压变化率(▽VDS)测试
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源