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YJD45G10B
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- YJD45G10B-F1-0000HF
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJD45G10B
- 商品编号
- C919612
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 28.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 399pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于降低漏源导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计
- 高速开关
商品特性
- 漏源电压（VDS）-20V
- 漏极电流（ID）-0.65A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = -4.5V时）< 520mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = -2.5V时）< 750mΩ
- 静电放电（ESD）防护高达4.5KV（人体模型）
应用领域
-接口、逻辑开关-负载开关-电源管理