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RCLAMP3304NATCT
ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：25A@8/20us
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- 描述
- TVSDIODE3.3VWM18VC10SLP
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- RCLAMP3304NATCT
- 商品编号
- C97213
- 商品封装
- UFDFN-10-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 18V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 25A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 450W@8/20us | |
| 击穿电压 | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 四路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 5pF |
商品概述
RailClamp低电容TVS阵列旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和雷击引起的过电压影响。 独特的设计在单个封装中集成了具有浪涌额定值的低电容转向二极管和一个TVS二极管。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流导向地。内部TVS二极管将瞬态电压钳位到安全水平。低电容阵列配置允许用户保护多达四条高速数据线。 RClamp3304NA采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供了低关断电压，并显著降低了漏电流和电容。RClamp3304NA具有3.3伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。 该器件采用10引脚SLP2626P10封装。尺寸为2.6×2.6×0.60mm。引脚间距为0.5mm，采用无铅NiPdAu镀层。高浪涌能力（tp = 8/20μs）意味着它可用于千兆以太网、电信线路和数字视频等应用的高风险环境中。
商品特性
- 按照IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准为高速数据线提供瞬态保护，25kV（空气）、15kV（接触）；按照IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准，40A（5/50ns）；按照IEC 61000 - 4 - 5（雷击）标准，25A（8/20μs）
- 带有内部TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
- 小封装节省电路板空间
- 最多可保护四条I/O线
- 高速接口的低电容（<5pF）
- 低漏电流和钳位电压
- 低工作电压：3.3V
- 固态硅雪崩技术
应用领域
- 10/100/1000以太网
- RJ - 45连接器
- T1/E1二级保护
- T3/E3二级保护
- 模拟视频