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RCLAMP3304NATCT
ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：25A@8/20us
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- 描述
- TVSDIODE3.3VWM18VC10SLP
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- RCLAMP3304NATCT
- 商品编号
- C97213
- 商品封装
- UFDFN-10-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 18V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 25A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 450W@8/20us | |
| 击穿电压 | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 四路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 5pF |
商品概述
RailClamp® 低电容 TVS 阵列旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和雷击引起的过电压影响。 独特的设计在单个封装中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和一个 TVS 二极管。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引向接地。内部 TVS 二极管将瞬态电压钳位到安全水平。低电容阵列配置允许用户保护多达四条高速数据线。 RClamp®3304NA 采用 Semtech 专有的 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD 工艺可提供低关断电压，并显著降低漏电流和电容。RClamp3304NA 具有 3.3 伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。 该器件采用 10 引脚 SLP2626P10 封装，尺寸为 2.6 × 2.6 × 0.60 毫米。引脚间距为 0.5 毫米，采用无铅 NiPdAu 镀层。高浪涌能力（Ipp = 25A，tp = 8/20μs）意味着它可用于千兆以太网、电信线路和数字视频等应用的高风险环境。
商品特性
- 高速数据线瞬态保护，符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）25kV（空气）、15kV（接触）；IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）；IEC 61000 - 4 - 5（雷击）25A（8 / 20μs）
- 带有内部 TVS 二极管的浪涌额定二极管阵列
- 小封装节省电路板空间
- 最多可保护四条 I/O 线
- 高速接口低电容（<5pF）
- 低漏电流和钳位电压
- 低工作电压：3.3V
- 固态硅雪崩技术
应用领域
- 10/100/1000 以太网
- RJ - 45 连接器
- T1/E1 二次保护
- T3/E3 二次保护
- 模拟视频