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SLVU2.8.TCT

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描述: TVSDIODE2.8VWM12.5VCSOT-23
品牌名称: SEMTECH
商品型号: SLVU2.8.TCT
商品编号: C97567
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.033克(g)

商品参数

商品概述

SLV系列瞬态电压抑制器旨在保护低压、先进的CMOS半导体免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。这些器件采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低关断电压，并显著降低漏电流和电容。SLVU2.8具有集成的低电容补偿二极管，该器件可配置为保护一条单向线路，或者与第二个SLVU2.8配对时，可保护两对高速线路。SLVU2.8的低电容设计意味着在10/100以太网等高速应用中能够保持信号完整性。 SLVU2.8采用SOT23封装，工作电压低至2.8伏。它专门设计用于保护以太网收发器、激光二极管、ASIC和高速RAM等低压组件。SLVU2.8的低钳位电压可将受保护IC的应力降至最低。 SLV系列TVS二极管可满足IEC 61000 - 4 - 2 4级的浪涌要求。

商品特性

400瓦峰值脉冲功率，tp = (8/20μs)
高速数据线瞬态保护，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）15kV（空气）、±8kV（接触）；IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）；IEC 61000 - 4 - 5（雷击）24A（8/20μs）
单器件可保护一条单向线路
两个器件可保护两对高速线路
低电容
低漏电流
低工作电压和钳位电压
固态EPD TVS工艺技术

应用领域

10/100以太网
广域网/局域网设备
交换系统
台式机、服务器、笔记本电脑和手持设备
激光二极管保护
基站

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	2.8V
	钳位电压	12.5V
	峰值脉冲功率(Ppp)	400W

	属性	参数值
	击穿电压	3V
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+125℃@(Tj)
	类型	ESD