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NVTFS5124PLWFTAG实物图
  • NVTFS5124PLWFTAG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVTFS5124PLWFTAG

1个P沟道 耐压:60V 电流:6A

描述
适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVTFS5124PLWFTAG
商品编号
C900520
商品封装
WDFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.107克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V,3A
耗散功率(Pd)3W;18W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)6nC@10V
输入电容(Ciss)250pF@25V
反向传输电容(Crss)17pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货5-7个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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